中美科技戰升級，美國政府官員證實正審視是否制裁大陸晶片產業巨頭中芯國際，華爾街日報曝光決策內幕，川普政府意圖劍指中芯、複製制裁華為手段，一切由一份美國國防承包商的報告說起。報導援引瞭解政策人士透露，這份研究報告由美國國防承包商SOS International LLC上月公佈，中芯國際被指有助於中共國防，報告隨後在參與此次評估的美國官員中，廣泛地傳閱。
報告指出，中芯已經與一間大型國防集團合作，與軍方有聯繫的多所大學的研究人員在進行設計時，會匹配中芯國際的技術，其中包括一家軍事院校，美國商務部在2015年已將列入出口黑名單，因為該院校涉嫌設計用於模擬核試驗的超級計算機的晶片。這份報告提到：「一系列軍校和國防綜合企業的研究人員，使用中芯國際的工藝和晶片進行研究，這代表研究是根據中芯國際生產規格進行，從而不可能在其他代工廠生產他們的晶片。」
該報告引用了所稱軍校研究人員發表的論文，使用了中芯國際的晶片技術的參考數據。SOS
International的這份報告，已經分享給川普政府數個機構的官員，其中包括美國商務部工業安全局（Bureau of Industry and Security,簡稱BIS）。BIS負責監督對美國敏感技術出口的限制。SOS
International的情報整合總監馬爾韋農（James Mulvenon）稱，報告的確出自該公司，並表示該報告是由內部出資，他堅稱，中芯國際深深植根於中共國防工業軍事研究項目。
市傳美國「捏死」華為晶片供應還不夠，更可能封殺肩負中國晶片供應自主重任的中芯國際(00981)，拖累中芯股價週一(7日)暴瀉近23%，創史上第二大單日跌幅；其A股(688981.SH)也急插逾11%，創登陸上海科創板後新低，中芯市值單日蒸發近476億元。不過，中芯股價週一尾段曾瀉24.9%，低見17.76元，收市仍瀉22.88%，報18.24元，拖累同業華虹半導體(01347)全日跌14.41%。市場憧憬最先進制程與中芯一樣同為14納米的台灣聯華電子是中芯一旦出事的受惠者，聯電股價週一飆9.79%。
週一廿大窩輪跌幅榜中，中芯認購證(Call輪)佔18隻，跌幅最大一隻單日瀉逾八成一，更有31隻中芯牛證被強制收回。不過，法巴上市衍生產品部執行董事黃集恩表示，該行週一見小量資金買入中芯Call，較多揀選行使價19元水準的條款。儘管有分析指，中芯日後能否取得美國設備，與當前的生意前景是兩回事，而「北水」週一亦淨買入約6.81億元的中芯港股。惟華興資本週一因應中芯隨時不能購買美國設備，將該公司目標價勁劈61.55%至17.3元，評級由「買入」直接削至「沽售」，因為一旦被美國實施技術封鎖，現有設備的技術支援及客戶信心均受影響。
中芯今年刊發的4則公告披露，其於去年2月至今年3月期間，向納指成分股美企應用材料(Applied Materials)及泛林集團(Lam Research)採購總值約21.61億美元(約168.55億港元)的產品，相當於6月底時「物業、廠房及設備」資產約23%。市場一直將中芯日後發展7納米或以下尖端製程的焦點，放在從荷蘭公司ASML訂購的極紫外光(EUV)光刻機何時入手，惟它只是繁複工序的其中一步。中芯等廠商把客戶的晶片設計圖用光刻機投射在晶圓後，還要應用材料和泛林掌握逾八成市佔率的刻蝕機，讓晶片上的元件成形。
中國也有一些領先的晶圓加工儀器廠商，如中微公司(688012.SH)的刻蝕機已通過台積電的5納米製程驗證，惟有關股份週一亦沒被炒起，芯源微電子(688037.SH)及北方華創(002371.SZ)分別挫3.68%及9.05%，中微更瀉11%。一位 大陸晶圓代工廠的高層向東方日報指出，其廠房的國產設備比重也不足兩成，主要是技術上還未通過驗證，而且供應不足。中芯如出事會加速中國研發生產設備，惟遠水不能救近火。就算55、65納米或以上的成熟製程日後或漸增加採用國產儀器，中芯最先進的製程不能擺脫應用材料和泛林為代表的美國技術。
中科院半導體研究所研究員、半導體超晶格國家重點實驗室副主任駱軍委，和中科院院士李樹深，花費了10個月時間，對中國半導體技術現狀進行調研。研究報告指出，過去半個世紀裏，以8個諾貝爾物理學獎12項發明為代表的研究成果，奠定了半導體科技。要支撐半導體技術頂層應用，從材料、結構、器件到電路、架構、演算法、軟件，缺一不可。從沙子到晶片，總共有6000多道工序，前5000道工序是從沙子到矽晶片。目前，中國12英寸矽晶片基本依賴進口，無法自主生產。
半導體晶片製造涉及19種必須的材料，大多數材料具有極高的技術壁壘。日本在半導體材料領域長期保持著絕對的優勢，矽晶圓、化合物半導體晶圓、光罩、光刻膠、靶材料等14種重要材料，佔了全球50%以上的份額。像光刻膠這樣的材料，有效期僅為三個月，中國企業想囤貨都不行。目前，國內晶片製造領域所有的化學材料、化工產品幾乎全部依賴進口。報告說，迄今為止，半導體領域的8個諾貝爾物理學獎12項發明絕大部分來自美國。美國半導體研發的特點是自下而上，從半導體物理、材料、結構、器件逐步上升到應用層面，專業設置和人才隊伍非常完整。
中國如集成電路、人工智慧，然後才開始局部往下延伸。它帶來的根本問題是，投資和研發經費層層截留，越往底層的基礎研究越拿不到經費，人才蓄水池很小，造成了嚴重的學科發展不平衡。報告指出，半導體基礎研究課題繁多、研究分散，設備依賴大，研究成本高，進入門檻極高，研發週期長，得坐上十年甚至二十年的冷板凳，因而，在中國很少有人願意投身這個領域。目前，中國工業界普遍以為，不需要基礎研究也能發展半導體產業。這是一個錯覺。因為，會設計根本不代表掌握了核心技術，一旦受到設備、軟件、材料等封鎖，就立刻陷入被動。
報告說，以銅替換鋁、高K絕緣層、絕緣襯底SOI、應變矽技術、鰭式3D電晶體、環繞柵級電晶體等延續摩爾定律的重大發明為代表的大量基礎研究成果，全部匯集在美國公司提供的EDA軟件和工藝設計套件（PDK）裡。反觀中國，從來沒有建立起獨立的半導體專業體系，如今卻有很多新興學科聲稱與半導體相關，實際上無法支撐半導體基礎研究。
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